外存处理器与内存处理器交换信息，中央处理器外存储器还有什么

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美国挥舞大棒封杀中国的闪存芯片巨头？ 这回就真能卡脖子？1、根据美国相关部门近日发布的针对先进芯片和芯片制造设备对华出口新限制，美国企业如果想向中国出口128 层以上的NAND闪存芯片生产设备，必须申请许可证，并经过严格审查。这无疑是再次挥向中国芯片业的大棒，这次有啥影响呢？

2、首先，美国不是说禁止卖给中国闪存芯片，而是不卖给中国生产闪存芯片的设备。美国美光是世界三大闪存芯片巨头之一，美光可以继续向中国出口闪存芯片，但中国自己生产闪存芯片的长江存储等则受打压，这就是美国自以为高明的地方，你可以买我的，但我不让你有生产能力，这样，我就能对你卡脖子。

3、其次，来看下闪存芯片是啥东西。这就是一种存储芯片，通常把它称作"快闪存储器"，简称"闪存"，特点是断电后数据不消失，因此可以作为外部存储器使用。闪存和内存恰好相反，内存分为DRAM和SRAM两大类，是内置在手机、电脑、笔记本、相机里，闪存则是单独的存储器。无论闪存、内存，几乎所有用过手机、电脑的人都用过。

就这种产品，美国也不让中国生产，美国非要说生产闪存芯片的设备会用于先进人工智能计算和超级计算的芯片，会推动中国军事现代化，包括大规模杀伤性武器的发展。这显然是胡说八道，其实美国就是想打压中国的芯片产业，这纯粹是针对中国的高科技产业。

4、另外，美国能奏效吗？当然不能。

美国这次宣布，向中国出口NAND闪存芯片高于 128 层的设备，必须申请许可证，并经过严格审查。可问题是，中国的长江存储都已经在今年完成192层3D NAND闪存样品生产，预计年底实现大规模量产交付。

长江存储实际上在2020年就已经跳过了96层，直接进行了128层3D NAND 闪存的研发，并在2020年正式宣布研发成功。过了两年，美国还在对中国纠缠128层3D NAND 闪存设备。真因为中国有那么落后？

如果对中国的闪存芯片企业的打压得逞了，那中国损失就巨大，因为有报告称，2021年中国闪存销售规模达到了1229.21亿元，占半导体存储器的35.06%。如果中国全都不能自己生产，都靠进口或者靠外企企业提供，那真是会被卡脖子。#康钊耍刀#

让你专注于“主要任务”的五个方法

1.主动屏蔽外界干扰。

专注力从0到1的冷启动，非常消耗意志力，一旦被打断，想要再次进入会非常困难，效率也必然大打折扣。

因此你需要为这段时间设置防护墙。建议你关闭一切通知类的提醒，带上降噪耳机，与外界隔绝。并且，让身边的伙伴在这段时间内不要打扰你，有事之后再说。创造不受打扰的环境，让自己保持专注。

2.调整身体状态。

注意力就像手机电池，一天能用的总量固定，为了让自己全天都能有电，你要做好电池管理，充电、省电合理搭配，

比如你可以：

少食多餐，保持血糖稳定，让大脑始终供血、供氧充足，思维活跃；在工作过程中设置短暂的小憩，比如专注工作1小时，休息5~10分钟。

注意：休息时不能做刷朋友圈等占据你注意力的事，应该做能让你放空大脑、休息眼睛的事，比如发呆、冥想、眺望远方、去茶水间喝茶、听轻音乐、闭目养神等。

3.排除内部的思绪干扰。

当大脑中有一些未处理事项或情绪不自觉地跳出来干扰你时，快速用笔将“干扰项”的关键词记录下来。通过这个记录过程，将事件从大脑中清除，这样等于在用“外部存储器”——便签，暂时存储那些等待解决的问题（同样也可以用这个方法平复情绪）。

快速记录完后，立刻回到专注于当下的状态。等手头工作完成之后，再集中处理那些“干扰项”。

4.合理利用“暗时间”。

每天我们的大脑处在“自动驾驶”状态的时间非常非常多，这些时间也被称为暗时间，用于完成吃饭、刷碗、扫地、等车、坐车、洗澡、刷牙、上厕所等简单任务。完成这些任务不需要太多思考和注意力。在这些时间段内你的大脑完全可以“腾出来”做其他事。

比如：

可以一边坐地铁，一边回复简单的邮件，用微信处理与同事协作完成的任务；

可以一边吃午饭，一边听一门音频课程；

可以一边洗碗筷，一边把明天会议中要提出的方案在大脑中回顾一遍；可以一边上厕所，一边发微博或朋友圈，或者问候朋友，与朋友保持联系，给你们的“情感账户”存上一笔。

把这些碎片化的时间利用起来，你的效率又能上升一个大台阶。

5.想方设法为自己“省时间”。

你可以找专业人士咨询，获取规律，少走弯路。比如你想发展副业，但一时又找不到合适的副业，那么你除了自己花时间试错，还可以咨询专家，“购买”他们的经验技巧，节约用于摸索的时间。

你还可以找能帮你提高效率的人，把工作“外包”给对方。比如，这两天你需要一份近半年该疾病领域所有生物制剂产品的疗效的数据分析，这份资料能帮助你做一个重大决定，但做这件事估计需要2天时间，耗时漫长并且你有更重要的其他事要做，此时你就可以把这个任务交给其他人，“购买”对方的时间，提高你的整体效率。

总之，每天留出足够的专注工作时间，按照梳理出来的重要紧急排序逐个完成工作，不用一个月，你就会感到效率和产量大大提高，成就感和掌控感也会随之增加。

#超级个体成长之路#

芯片是计算机和电子产品的核心。 芯片包括集成电路、 CPU、存储器等，是对物理实体的模拟信号进行变换后，变成数字信号。 集成电路分为：集成电路产业基础知识、半导体材料知识和设计方法三部分。 CPU则为计算机最基本的核心，主要用于实现计算机内部运算功能或与外部设备进行数据交换和信息处理，由中央处理器、存储器和输入/输出接口等部件组成。

1、半导体的发展历程

半导体的发展可以分为三个阶段： 1910年，半导体问世，到1914年才有了第一颗半导体芯片； 1958年，集成电路制造工艺和集成电路封装技术得到了长足的发展； 1960年，世界上第一个集成电路设计中心在美国建成。 如今，随着科技与经济的快速发展，集成电路制造已成为一个规模巨大、产业密集的行业。

2、摩尔定律和硅基技术

摩尔定律（Moore’s Law），是指每隔18个月芯片上的晶体管数目将增加一倍，性能将提升一倍。 在摩尔定律作用下，电子元件的集成度越来越高，价格越来越便宜。 在20世纪70年代后期到80年代中期这段时间里，集成电路行业发展迅速，半导体的价格急剧下降。当时集成电路行业的竞争也变得越来越激烈。 由于硅技术具有更好地性能和密度比以前更低等优点，硅基技术成为世界各国竞相发展的对象。

手机中的6+128一般会标明6G运存。

为什么不借用电脑中的概念，6G内存，128G外存？硬盘可是妥妥的外部存储器。

微电子所在氧化铪基阻变存储器领域研究中取得新进展

为应对大数据时代海量数据的存取需求，基于新材料、新原理、新结构的新型存储技术必须具备低功耗和高密度集成的特点。阻变存储器具有低功耗、高速存取、易于三维集成及存算融合等特点，有望成为下一代主流的存储技术。

阻变存储器的高低阻态转变行为源于导电细丝在外部电场下的可重复形成与破裂。伴随导电细丝的形成/断裂过程，细丝环境的物化性质也在发生动态变化，并对导电细丝产生影响。深入剖析导电细丝系统的动态物化特性并完善阻变机制，对氧化物基阻变存储器的大规模制造和商业化发展至关重要。

微电子所刘明院士团队近年来对阻变器件进行了深入研究，在阻变存储器性能优化、3D阻变存储器阵列及芯片集成、阻变存储器的嵌入式应用等方面取得一系列研究成果。近日，该团队率先对氧化铪基阻变存储器中细丝环境的动态演变行为进行了原子级分析，证明了非晶氧化铪基阻变存储器的导电细丝系统为核壳结构，其核心为金属性导电细丝，细丝壳层环境为绝缘性的结晶态HfO2。

Pt/HfO2/Pt做为氧化铪基阻变存储器机制研究的经典结构，为细丝环境动态演变的研究提供了纯净的阻变环境。未经电学操作的器件中HfO2为非晶态（如图1(a))。SET操作后，器件阻变层中形成以m-HfO2（单斜相二氧化铪）为壳层结构的细丝系统（如图1 (b))。而在RESET操作后的器件中，在金属性细丝断裂的基础上，细丝系统的壳层环境演变为t-HfO2（四方相二氧化铪），如图1(c)。此外，在顶电极材料为TiN、Ta、Hf和Ti的氧化铪基阻变存储器中，同样清晰地观察到该核壳结构细丝系统。

因此，该核壳结构导电细丝系统对于氧化铪基阻变存储器具有普遍意义。研究还发现，焦耳热效应、氧空位浓度和表面能是影响壳层HfO2晶体结构的重要因素。

壳层结构在一定程度上阻碍了金属性导电细丝组分的自发扩散和自发氧化，从而确保器件具有良好的保持特性，这是阻变存储器可微缩至5nm以下的潜在关键因素之一。该核壳细丝理论作为价态转变机制（VCM）的补充理论，完善了氧化铪基阻变存储器的阻态转变机制，为氧化铪基阻变存储器的大规模制作和商业化发展提供理论参考。

该工作以《氧化铪基阻变存储器中导电细丝系统动态变化的原子尺度观察》（Evolution of the conductive filament systemin HfO2-based resistive memristor observed by directatomic-scale imaging）为题发表在《自然通讯》杂志上（Nature Communications, DOI:10.1038/s41467-021-27575-z）

图1. 初始态、SET态和RESET态器件细丝系统的HRTEM图像。(a) 初始态器件中HfO2为非晶状态；(b) SET操作后，器件阻变层中出现被m-HfO2包围的完整的导电细丝；(c) RESET器件中断裂的金属性细丝，其壳层晶体结构由m-HfO2转变为t-HfO2相。

图2. 氧化铪基阻变存储器不同工作阶段细丝系统演变示意图。

#CVPR 2021# 论文推荐：

论文名称：Meta3D: Single-View 3D Object Reconstruction from Shape Priors in Memory

论文链接: Meta3D: Single-View 3D Object Reconstruction from Shape Prio...

推荐理由：因为要重建的对象存在不可见的部分，从单视角RGB图像中进行三维形状重建是一个非确定的问题。现有的方法大多依靠大规模数据，通过调整重建模型的参数来获得形状前值。然而，因为先验信息无法完全保留或有效应用，这些方法可能无法处理重物遮挡和嘈杂背景的情况。在本文中，作者率先开发了一个基于内存的元学习框架，以用于单视角三维重建。其中，一个写控制器被设计用来从图像中提取形状判别特征，并将图像特征及其相应的卷存储到外部存储器中。同时，作者提出了一个读控制器，依次编码与输入图像相关的形状前值，并预测形状特异的细化器。实验结果表明，该工作的Meta3D通过显式保留形状前值，对于极度困难的情况，能够以较大的优势优于最先进的方法。

会议链接：CVPR2021-学术会议 - AMiner

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#AMiner# #论文#

通过铁电极化辅助的电荷俘获实现多功能MoTe2 Fe-FET

研究背景

随着微电子技术的快速发展和以数据为中心的应用对功能器件的需求不断增加，迫切需要缩小单个器件的特征尺寸或增加其功能，特别是对于中央处理单元、存储器和图像传感器以及神经形态器件。最近，人们对将二维（2D）材料与不同铁电材料耦合用于存储和逻辑应用的混合电子器件产生了相当大的兴趣。具有多种电子、光电和机械性质的原子薄2D半导体可以成为半导体行业中超越硅的合适选择。此外，由于2D材料中的强共价键，当将铁电场效应晶体管(Fe-FET)器件集成到CMOS技术中时，有望实现具有高结构质量的铁电/硅界面。更重要的是，2D半导体的大比表面积使它们对其表面和界面环境高度敏感，从而大大增强了它们对外部刺激的反应。在混合2D材料/铁电系统中，铁电材料中本征铁电极化转换与界面态电荷动力学行为之间的相互作用可用于引入新的电学和光电特性。

成果介绍

有鉴于此，近日，新加坡国立大学陈伟教授等报道了退火过程中在铁电Hf0.5Zr0.5O2薄膜上引入了界面态。利用铁电极化和电荷俘获行为的协同效应，本文展示了一种多功能2D Fe-FET，在单个器件中表现出可靠的存储特性、可调节的突触功能和可重构的光电探测行为。其中，实现了多级存储，并具有长保留时间。该器件成功模拟了包括短时程可塑性（STP）/长时程可塑性（LTP）在内的柔性可塑性，并且出色的模拟突触行为也有助于在人工神经网络模拟中实现≈81%的模式识别精度。此外，观察到铁电极化相关的光电响应，使其有望用于光电逻辑器件应用。本文的研究结果为制造具有各种功能的高密度数据处理系统铺平了道路。文章以“Multifunctional MoTe2 Fe-FET Enabled by Ferroelectric Polarization-Assisted Charge Trapping”为题发表在著名期刊Advanced Functional Materials上。

刺激响应聚合物的双稳态、剩磁、读/写存储器和逻辑门功能

刺激响应材料可以改变其状态以响应外部触发。这允许通过物理、化学、生物或环境刺激来专门调节它们的物理、化学和生物特性，从而实现某些特定的功能。因此，响应材料被广泛研究，应用于传感器、致动器和靶向药物输送等领域。如果状态之间的转换表现出双稳态的滞后，则不同状态之间的切换能够读取和写入信息。具有双稳定性的非常规非磁性材料最近已被证明用于折纸结构的折叠状态、玻璃体和主客体功能化的热响应聚合物。有了两个状态控制变量，逻辑操作的实现也将成为可能。逻辑门响应功能已被用于控制溶胶/凝胶转变、水凝胶降解或用于药物递送应用的纳米载体分解。对于响应材料，到目前为止，双稳态和逻辑门功能都是通过采用化学反应来实现的，这导致了化学状态和动力学方面的双稳态是很有趣的，但与使用铁磁和铁电材料的固有物理双稳态相比，还很难实现。如果可以在响应材料中证明内在的双稳态，这将是在广泛类别的响应材料中编码记忆、读/写信息甚至逻辑操作的决定性步骤。

近日，德国于利希研究中心Stephan Förster团队展示了基于聚合物体积相变的本征滞后的双稳态、剩磁和读/写信息存储。研究团队使用笔和激光将信息热写入薄层显示设备。使用了最广泛的一类响应材料：聚-N-异丙基丙烯酰胺均聚物和二嵌段聚合物。展示了“与”逻辑门功能。此外，还发现了一种非常规的记忆状态，在这种状态下，信息在滞后窗口中是可见的，而在较高的温度下是不可见的，这允许隐藏编码的信息。由于滞后是响应材料非常普遍的固有现象，因此这种编码和存储信息的原理可能适用于广泛的响应材料。相关研究发表在《Advanced Materials》上。

文章链接：

J. Michalska-Walkowiak, B. Forster, S. Hauschild, et al. Bistability, Remanence, Read/write-memory and Logic Gate Function via A Stimuli Responsive Polymer[J]. Adv Mater, 2022: e2108833.

网页链接

中国科学家将量子通信速率提升4倍！近日，中科大郭光灿院士团队在量子存储和量子中继领域取得重大进展——

利用固态量子存储器和外置纠缠光源，首次实现两个吸收型量子存储器之间的可预报量子纠缠，演示了多模式量子中继，为高速率、大尺度量子网络的建设提供了全新的实现方案。

啥是量子通讯？简单点说，当两个量子产生"纠缠"时，一个变了，另一个也会瞬间改变，无论它们相隔得有多远。所以，借助量子纠缠就可以实现量子通信。这次的研究成果，就可以将量子世界里天各一方的"牛郎织女"间的通信速率提升4倍。

嗯，这新闻光看着就来劲，可谓“民奋极大”！ 唉，就是希望能早点实用，如果真有了这样的神器，天问和祝融在离我们3亿多公里外的火星上传照片也就不会这样困难了。

这都多少天了啊，火星的高清大图还没公布，真是让人望眼欲穿呐。那啥，不会是在憋大招吧。

#军事趣科普##我要上微头条##我要上头条##祝融号#

【存储器市场迎上行周期，产业链中最为看好：000021深科技】

据《麦克林》报告中的数据统计显示，增长最快的前十大IC产品类别中的每个类别的销售额都将实现两位数增长，预计前五个细分市场的增长速度将超过整个IC市场，IC Insights预计该市场今年将增长12％ 。

预计DRAM和NAND闪存将成为2021年增长最快的两个产品领域，销售额分别增长18％和17％。增长最快的IC产品领域是DRAM市场熟悉的领域。DRAM在2013、2014、2017和2018年也被评为增长最快的IC领域。

笔记本电脑，平板电脑和服务器系统销售的增长使NAND收入在2020年增长了24％，因为新冠疫情-19大流行迫使消费者，学校，企业和政府之间沟通和开展业务的方式发生了转变。预计到2021年，在许多相同的计算应用和智能手机中向5G技术的过渡将使NAND收入增长17％。

值得一提的是，半导体存储是周期性非常强的品种，遇上景气周期，股价可"突突突"往上冲，遇到下行周期，也可以跌到让你怀疑人生。美光的股价虽然也是10年10倍以上的大牛股，但中间股价就像是过山车。

我国的存储器芯片市场占了全球的40%，但98%却全部来自进口，每年进口超过千亿美元。而我国存储芯片晶园公司目前只有合肥长鑫和长江存储，接下来会有北京长鑫。目前已经实现从0-1的突破，现阶段正在实现从1-100的突破过程中。

存储产业链上下游企业都值得我们高度重视。上游材料、设备目前高端的也基本完全靠进口，个别公司象北方华创（002371）估值又贵。中游的制造，合肥、长江晶圆厂未上市，只有深科技（000021）的先进存储封装测试和存储模组产品还没有得到大家的认知，估值不贵，未来潜力无限巨大。下游应用华为、小米等等很多很多⋯

再来谈谈我的股票投资价值投资理念：

有朋友说：研究无用，趋势为王，抱团致胜，四顾茫然。我怎么觉得现在反而是深入研究的好时机，回顾过去几年，真正赚到钱的往往都是做了深入，细致，全面，领先的研究，敢于重仓，同时保持紧密跟踪，应变而变。基于自己拙劣的技术分析技巧和往往无数次验证墨菲定律的其差无比的运气，我已经彻底放弃了试图从看图和短线交易上获利。而弱小贫瘠的资源，也注定了我无法获得足够多的外部研究支持，也是历史证明，每每很靠谱的朋友跟我说如何如何…我每次听到这心里就咯噔一下，格外警惕起来，想着莫非悲剧又要重演了？结果也屡试不爽，最后很靠谱的朋友又不靠谱了[捂脸]还是只能靠自己，靠一些真正很能靠的住的深交了十多年的朋友，细细地研究政策，行业，公司，认真地把相关全景拼图上的每一个重要的细节都拼好，如此才有信心真正做到“好股重仓”。

唯有研究能给我公平。

唯有研究能给我正义。

唯有研究能给我自由。

唯有研究能给我财富。

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