中国1nm芯片与美国1nm芯片，1nm芯片和1nm晶体管

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不是侮辱米荣ov，而是这帮子东西就会夸大其词。

这个4nm的是处理器芯片吗？有这能力大漂亮能容得下？

搞不好又是个充电器管理芯片，或者摄像头芯片之类的，这玩意就是1nm又有啥意义？

听劝，踏实点，别老碰瓷

万万没想到，美国又白高兴了一场，本以为400亿美元挖来台积电可以实现芯片独立了，没想到台积电只是在美国投建3nm工厂而已，而台积电真正高端的1nm和2nm产线还是转回中国生产，这一次笑得合不拢嘴的拜登瞬间变脸了。

2022年12月7日，台积电在亚利桑那州举行机台移入典礼时，库克等多名科技巨头都纷纷出现，他们都感到异常兴奋，然而事实却很打脸，台积电又宣布2nm制程会在中国生产，到时候留在美国的3nm产线又过时了。

台积电之所以把2nm产线迁回国内，是因为中国拥有全球最大的芯片市场，而且中国芯片产业已经开始逐步走上自身硬的阶段，投身芯片研发的厂商越来越多，也包括国产手机厂商小米，小米在电池领域自研了好几颗芯片，在快充领域也实现了重大的突破。

不知不觉间，小米成为对标苹果的强大力量，不仅仅在性能上赶超，价格上赶超，在售后服务上更是实现超越。同样是售后问题，苹果对频出的14 Pro售后问题不作回应或回应不及时，而小米则想在用户前面。

2022年11月，小米发布了一则通知，因上游零配件停产，所以小米11系列不得不停产，但小米紧接着承诺，将为所有小米11系列用户延保至36个月，不管是否过保，从手机激活之日算起36个月，主板免费维修或更换。

人民网对小米主动延保至36个月一事也是大加赞赏，称此举体现小米厂商负责任态度。对于用户而言，延保无疑是吃了一颗定心丸，没有使用焦虑了。

能这么做的厂商，目前也就只有小米，延保至36个月不是说说而已，落到实处会涉及到巨大的工作量和工作成本，但小米一往无前，因为感动人心一直是小米公司的经营理念，也是中国制造的诚意所在。

当芯片工艺到达物理极限，我们就能追上台积电吗？

对于硅基芯片而言，1nm就是其物理极限，这也就意味着无法再向前突破。所以网上一直有一种说法，就是当芯片工艺到达物理极限，我们就能追上台积电。事实真会如此吗？

其实这种说法需要满足一个前提，就是当硅基芯片工艺到达1nm的时候，台积电就会停滞不前。如果是这样的话，那么台积电就只能眼睁睁的看着我们追赶。但是台积电会停滞不前吗？大概率是不可能的，就算无法突破物理极限，台积电也会在生产效率、良率、成本等方面下功夫。所以台积电不会坐以待毙，让我们轻易的超越。

那么我们追赶台积电没有机会了吗？也不是的。只要我们进步的速度比台积电快，我们就终有一天能够追赶上台积电。只是这个时间恐怕会比我们想象的长一些，可能是10年，也可能更漫长。

当然还有一种更大的可能，就是我们借助新技术弯道超车。毕竟目前已经有了石墨烯芯片、碳基芯片等多种替代硅基芯片的思路。可能只要5年，新技术就会出现。到时候赛道都换了，台积电所积累的所有技术优势在新技术面前都将变得不值一提。

不知道大家怎么看呢？

担心中国芯片产业链发展太快，M国步步紧逼，在DUV光刻机上动起了心思。

如今全球芯片代工巨头台积电已经开始冲刺2nm芯片，如果成功量产的话，接下来就是1nm芯片，再往后就会到达物理极限。芯片技术很有可能停滞不前，这也就意味着给我们赶超世界先进水平争取了时间。

M国为了拖慢中国芯片产业链的发展速度，现在已经在DUV光刻机上打起了主意。如果一旦通过光刻机禁令，就意味着阿斯麦的DUV光刻机将对中国禁售。那么中国的芯片发展很有可能因为光刻机问题卡在14nm。除非国产光刻机取得突破。

M国想要搞禁售，还有一个原因就是目前全球电子消费市场有所萎缩，虽然缓解了芯片荒，但也让M国芯片企业的库存增加。而中国又是全球最大的芯片消费市场，去年进口芯片4,400亿美元，有一半来自M国。所以M国卡住了光刻机，中国无法实现14nm以下制程芯片的国产，那么就只能从M国购买，M国可以趁机继续“薅羊毛”。

我们要想让M国无法得逞，就必须在光刻机上下功夫。只有研发出更先进的光刻机，提高芯片自给率，才能无惧禁令，不被人随便“卡脖子”。

不知道大家怎么看呢？

【Imec 提出 2036 年之前的 1nm 工艺和晶体管路线图：从纳米到埃时代】世界上最先进的半导体研究公司 Imec 最近在比利时安特卫普举行的未来峰会上分享了其亚“1nm”硅和晶体管路线图。该路线图让我们大致了解了到 2036 年该公司将在其实验室与台积电、英特尔、三星和 ASML 等行业巨头合作研发的下一个主要工艺节点和晶体管架构的时间表。

该路线图包括突破性晶体管设计，从持续到 3nm 的标准 FinFET 晶体管发展到新的 Gate All Around (GAA) 纳米片和叉片设计，分别为 2nm 和 A7（7 埃），然后是突破性设计，如 CFET 和原子A5 和 A2 的通道。提醒一下，十埃等于 1nm，因此 Imec 的路线图包含亚“1nm”工艺节点。

1nm芯片不再需要光刻机？湖南大学研究团队成功实现一项顶尖技术，一举让我们的芯片工艺缩短到不到1nm，他们是如何做到的？一起来详细了解下。

在去年6月，一个研发项目引发众多媒体争相报道，湖南大学的研究团队成功实现了超短沟道的垂直场效应晶体管，并且沟道长度和晶体管非常小。

晶体管才只有3nm大，而沟道长度更夸张，只有0.65nm，沟道长度这么短意味着什么呢？一般来说沟道长度就代表芯片水平，比如1nm沟道长度就是1nm的芯片，那湖南大学这项技术相信我不说大家也明白了。

放眼现在国内超10nm的芯片技术，与这个相比较，还是非常震撼人心的，但更令人震惊的远不止于此，湖南大学的这种晶体管，甚至不需要依靠高精度的光刻机制造。

这则消息在当时也引起了很大的轰动，很多人觉得都不真实，毕竟老是出现各种芯片消息，其实这个确实是真实的，但依然是实验室的产物，要知道研发跟量产是两回事。

那么这个技术是怎么被研发出来的？

首先各位都知道芯片是如何构成的吗？主要由硅、电阻、电容、元件组成，原料则是晶圆，微电子技术的主要产品就有它，一般想要生产成本降低，就需要晶圆非常薄。

一个芯片上拥有许多微电路，制作芯片首先需要将纯硅制成硅晶棒，进行切割，这就是我们提到的晶圆，切的晶圆越薄那么生产出的芯片成本就越低，但相对应的工艺水平就要求非常高。

晶体管往往都用平行排列，要想提高制造水准，就必须将晶体管和缩小晶体管两者的距离变短，这必须要用到高精度光刻机。

湖南大学却打破以往规则，采用了垂直场效应晶体管，平常排序采用并排放，而他们选择上下垂直来放，这种方法可以让沟道距离变得非常短，半导体沟道位于底电极和顶部电极之间，长度就取决于使用的材料厚度如何了。

采用这种方法的优势非常明显，既然能相差的几乎没有，也难怪湖南大学研究团队可以研制出沟道长度仅有0.65nm的晶体管。

他们采用了一金属电极集成办法，名为范德华，然后采用无机物二氧化钼作为单原子层，也就是我们一直说的沟道长度，而它的厚度也仅有0.65nm。

这样的做法本来就精准到1nm以下，所以更不需要用到高精度的光刻机来制作，只要一层一层往上增加就可以，非常的方便，也摆脱了光刻机这种高要求装备。

而这种垂直效应的晶体管其实并不是湖南大学第一个开始研究，之前也有很多专业人士也在研究该项技术，但是缺乏固定材料，所以在垂直放下时候会受到隧穿电流的影响，导致根本没办法控制，所以很多人都放弃。

湖南大学采用了金属电极集成方法，以无机物二氧化钼为主要材料，才做到了这种理想厚度，将这个技术彻底实现，也证明了我们中国人的智慧所在。

值得一提的是，在此之后的2021年9月，中国和美国有望在芯片领域进行合作，此消息让人非常震惊，换谁都知道，美国对于中国的芯片企业，一直处于想把我们扼杀在摇篮里，甚至也不让其他国家与我们合作，那为什么这次中国选择在芯片领域进行共同开发呢？

很简单，就是有利益存在，那就是3D IC EDA技术，什么是EDA呢？

顾名思义它属于一种现代化的技术，将电子、计算机、智能化融为一体的集成电路设计技术，简单来说就是所有在现代的高端科技技术，进行同一个集成电路设计。

在目前全球的芯片设计都是源于EDA的设计理念，以及通过里面的设计工具设计芯片。

那3D IC EDA技术就是在集成电路的时候，不再局限于一个层面来进行电路设计，而是同时进行多层的设计，而不用这个设计完成再进行下一个了。

这个技术的优势就是工艺流程和设计时间减少，可以省下很大一笔研究芯片的资金是非常不错的一项技术。

而这种技术最为主要的就是能够一次性完成芯片的所有设计，这样就会让我们直接跳过依赖光刻机制造芯片，从而避免他国对我们的光刻机进行技术封锁。

美国想要跟我们一同研发，根本原因就是因为它一旦成功，对芯片行业还有非常大的影响，并且我们的科研团队拥有非常先进的技术水平，老美跟我们合作可以减少他们的研发时间与多余开支，两全其美的事情他们自然不会放过。

我们所掌握的技术就是前文说到的垂直晶体管结构技术，这个技术连接到3D IC EDA技术上，能够帮助该技术突破一大难关，让该技术顺利进行下去，所以没有垂直晶体管结构技术的老美，只能选择与我们进行深入交流。

我们既然能同意合作，就不怕老美套取我们技术，原因很简单，在EDA的其他技术上我们还是跟他们有很大的差距，所以这一次合作也会获得来自老美这边许多重要技术理念，这都有助于实现EDA技术成功。

我们的研究团队在这项技术研究上，有很多都是超过老美的，再从他们那里吸取更多的技术，这就代表我们的研发速度会快于他们，最终这场博弈或将是我们胜利。

IBM 刚刚官宣研发2nm芯片不久，台积电再次发起了挑战！

台积电取得1nm以下制程重大突破，不断地挑战着物理极限。近日，台大与台积电、美国麻省理工学院合作研究发现二维材料结合「半金属铋（Bi）」能达极低电阻，接近量子极限。这项研究成果由台大电机系暨光电所教授吴志毅，与台湾积体电路和MIT研究团队共同完成，已在国际期刊Nature上发表，有助实现半导体1nm以下制程挑战。#头条热榜#

很好，这个策略对……

光刻机都有1nm的了，店主小心被制裁呀…

【1nm芯片来啦，台积电新技术让人惊叹】

随着手机智能化的推进，近些年半导体技术的发展速度也逐渐加快。短短几年的时间，从10nm到现在的5nm，半导体方面的进步不言而喻。但这并不是一个结尾，而是一个更好的开始。目前已经有企业开始向3nm、2nm和1nm进军。在这其中，台积电就是一个很有代表性的企业！据说目前台积电已经获得支持，有望在2030年开始量产1nm芯片。

芯片制造有望在2031年进入1nm工艺量产时代，估计只有台积电、三星、英特尔才玩得起。

在逻辑芯片制造领域， 2020年5nm工艺量产，2022年3nm工艺量产，2025年2nm工艺量产，2028年1.4nm工艺量产，2031年有望量产1nm工艺。

5nm工艺导入的是FinFET架构；不过，三星在3nm工艺节点率先导入GAAFET架构，台积电和英特尔预计在2nm工艺节点才会导入GAAFET；至于1nm工艺，ForksheetFET架构将是业界的备选。

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