ipod nano 5支持外放吗，ipodnano5可以用内存卡吗

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#冬日生活打卡季#目前oppo nano五还值不值得入手？

OPPOreno5正面采用一块6.43英寸挖孔屏,屏幕材质为AMOLED,且支持90HZ刷新率。

OPPOreno5后置摄像头采用索尼6400万主摄像头，外加三个辅助摄像头。前置3200万摄像头。

OPPOreno5搭载的处理器是联发科天玑1000+处理器,支持 5G+5G 双卡的，最高主频2.6GHZ。

OPPOreno5采用一块4300毫安容量电池,标配有65w有线充电。相比前代，充电时间反而缩短了许多。

范德华磁铁 Fe5GeTe2 中的门控磁相变

磁性范德华 (vdW) 材料有望在二维极限内实现磁性的全电控制。然而，由于这些材料中的载流子密度极大，通过电压感应电荷掺杂调节 vdW 巡回铁磁体中的磁基态仍然是一个重大挑战。近日，皇家墨尔本理工大学Lan Wang，Guolin Zheng，华南理工大学Yu-Jun Zhao等研究了vdW 巡回铁磁体Fe5GeTe2 (F5GT)中的异常霍尔效应。

本文要点：

1）作者将 vdW 巡回铁磁体 Fe5GeTe2 (F5GT) 切割成 5.4 nm（围绕两个晶胞），发现 F5GT 中的铁磁性 (FM) 可以通过厚度进行调控。

2）作者通过利用固体质子门可使F5GT 纳米片中的电子掺杂浓度超过 1021 cm-3。如此高的载流子积累超过了广泛使用的双电层晶体管（EDLT）中可能的积累，并且超过了 F5GT 的本征载流子密度。

3）如此高的载流子积累超过了广泛使用的双电层晶体管（EDLT）中可能的积累，并且超过了 F5GT 的本征载流子密度。更重要的是，它伴随着从 FM 到反铁磁性 (AFM) 的磁相变。

该工作报道的纳米片 F5GT反铁磁相的实现表明它在高温反铁磁 vdW 器件和异质结构中具有广阔的应用前景。

Cheng Tan, et al.Gate-Controlled Magnetic Phase Transition in a van der Waals Magnet Fe5GeTe2. Nano Lett., 2021

DOI: 10.1021/acs.nanolett.1c01108

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为年轻人打造，五菱新出的这款车2座车，满足你的胃口了吗？

在我看来，很多车虽然说是为了年轻人而生，但实际上只是在外观上做出创新，没有抓住年轻人喜欢的内核，相比之下，五菱NanoEV这款2座车或许才是真正为年轻人打造的车。五菱NanoEV有很多联名款，联名的对象还都是年轻人喜欢的IP，像是迪士尼的《疯狂动物城》、年轻人喜欢的动漫网站B站。这些联名款在配色上都很有特点，再搭配NanoEV常规款就有的潮流配色，让我这样的年轻人觉得它足够好玩、足够个性，开出门回头率也高。关键NanoEV还不贵，它的起步价还不到5万。

#能源合作#

迪拜太阳能主题公园新建了一座高达260米的塔。该塔从建筑角度来看没有什么特别之处，它是由混凝土制成的，像烟囱一样耸立在那里，但是其顶部安装了一个直径22米、高40米、质量约1500吨的熔融盐太阳能接收器。从技术角度讲这实属一项壮举，列日John Cockerill在这一项目中可谓功不可没。

在实践阶段，这家比利时企业的太阳能应用总监Gérald Thomas解释道："来自地面水箱的冷盐被泵送至塔顶的热交换器。盐经过太阳光加热后回到地面，随后被储存在一个温度为560℃以上的容器中，可供电15小时。人们可以通过蒸汽和涡轮机系统按需发电。

这家比利时公司已经在中国、南非和智利打造了另外三座太阳能电站塔，而每座塔都位于干燥、阳光充足的沙漠。不同的是，迪拜这座太阳能电站拥有超高容量，甚至可以在夜间运行。

不仅如此，此项技术完全不会影响环境。电站使用的盐（NaNO3和KNO3）在一个封闭的回路中，还有可能作为肥料回收。

John Cockerill在中国建立的电站塔于2019年在青海海西建成。该热太阳能发电厂的容量为50 兆瓦，或足以为5万个家庭供电。John Cockerill公司进行了两年的开发工作。该发电站一个最大的特点是，由于使用熔盐作为传热流体，所以无论是在夜间还是白天它都能生产电力。

具备超陡斜率开关效应的二维应变效应晶体管

随着微纳米光刻技术的成熟，硅基金属氧化物半导体(CMOS)技术得到进一步，这得益于新材料的发现、器件结构的改进以及电路架构层次的优化。通过压缩金属氧化物半导体场效应晶体管(MOS-FET)的导电沟道尺寸，在保证功率恒定的条件下，可以在单位面积上组装更多的电子器件，导致现代处理器的计算能力比最初的性能提高了多个数量级。但随着尺寸降低，电子的屏蔽厚度变得非常薄，以至于产生电子的隧穿效应，器件发生漏电，因此不能仅靠通过压缩器件尺寸来提高元件的效率。为了解决这一问题，研究者们提出了隧道场效应晶体管(TFET)，通过控制电子隧穿来实现晶体管的导通和断开，是一种很有前景的低工作电压低能耗的逻辑器件。

近日，美国宾州州立大学Saptarshi Das等人提出了一种具有超陡斜率开关效应的应变效应晶体管(SET)，利用少层1T’-MoTe2作沟道材料，栅极介质是锆钛酸铅(PZT)薄膜，在PZT薄膜上施加电压，通过逆压电效应对MoTe2施加应力，引起沟道材料与金属触点的接触与断开。室温下的亚阈值摆幅小于0.68 mV/dec，当电源电压为1 V时, 通路电流高达约1.8 mA/μm，断路电流小于1 pA/μm，其开关比大于109。该工作所提出的SET不仅可以实现小于5 μs的快速响应，在经过106反复周期性开关实验后仍能正常工作，该工作为超小尺度晶体管的制造提供了新思路。相关工作发表在《Nano Letters》上。

文章链接：

Sarbashis Das and Saptarshi Das.An Ultra-steep Slope Two-dimensional Strain Effect Transistor. Nano Lett. ASAP (2022).

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