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国内半导体再次传来好消息！国产闪存率先突破，长江存储力压四大巨头率先实现232层3D NAND量产

这简直就是划时代进步，在闪存方面，一直是铠侠（Kioxia）、美光科技、三星电子和SK海力士，为四大巨头，而长江存储后来居上，率先实现了200层以上NAND的生产

之前iPhone 14系列发布的时候，库克就想跟长江存储合作，但因为大家都知道的原因，合作失败，但这对长江存储没造成任何影响，这次量产的是YMTC X3-9070的内存以及其新的Xtacking 3.0架构，在今年8月份就对外发布过，没想到三个月就实现了量产

自研的猪肉还是香啊！哪怕我们起步晚，哪怕没有跟苹果合作，但这并不说明我们落后，国内半导体只要肯努力，一定会迎头赶上。232层的3D NAND闪存的量产标志着，从落后到追评行业领先水平，只用了6年，相信国内手机芯片也一定会赶上，加油！#科技之巅寻找先行者#

突破美国芯片制裁！中企“秘密武器”已经开始出货，并逆袭3大巨头。与此同时，为了突围，中国大陆将大力吸引台湾顶尖人才，并邀请科技巨头共同参与半导体芯片设计工作。而在另一方面，美国施压“盟友”共同封杀中国大陆却遭到荷兰拒绝，让美国急跳脚，双方关系也恐生变。

美国商务部10月初宣布新一轮半导体技术销售中国禁令，中企长江存储128层以上的3D NAND设备遭断供，但根据加拿大半导体分析与IP服务机构TechInsights报告，长江存储首款232层3D NAND Flash产品已经成功量产，是首个进入零售市场的超过200层堆栈3D NAND Flash产品，领先于三星、美光、SK海力士等大厂。

外媒报道指出，长江存储这款产品品名为 X3-9070，已被海康威视CC700 2TB SSD固态硬盘采用。

根据长江存储介绍，X3-9070拥有更高的存储密度、更快的输入/输出速度，其传输速率达2400 MT/s，与上一代产品相比性能提高50%。此外，X3-9070受惠于Xtacking 3.0架构，是该公司有史以来储存密度最高的闪存。

值得关注的是，今年包括美光、SK 海力士和三星等，都相继推出200层堆栈3D NAND Flash闪存解决方案，美光最早在5月就宣布推出业界首款232层产品，预计年底生产。 SK海力士8月也公布成功研发首款238层堆栈 NAND Flash闪存，并送样合作伙伴。三星则在1月宣布开始大规模生产第八代V-NAND芯片，堆栈层数达236层。

不过美方禁令仍对长江存储造成冲击，外媒披露，苹果原本想向长江存储购买128层3D NAND闪存芯片，但此计划目前已生变，苹果转而向韩企三星电子购买记忆芯片，未来三星将承担高达40%的iPhone内存出货量。

市场研究公司Canalys分析师Ben Yeh说，如果美国继续管控高阶芯片出口至中国大陆，中国大陆半导体业面临长期挑战，可能会竭尽所能获得先进芯片和技术。

台湾在半导体产业上占有关键地位，晶圆代工龙头厂台积电2奈米制程预计在2025年量产，香港《南华早报》分析指出，台积电先进制程进展顺利，中国大陆为了突围，预料透过吸引人才、像台湾那样建立“国际供应链联盟”，以及透过积极推展研发等方式向台湾学习。分析师预估，预料大陆企业未来挖角台湾顶尖人才，以利用台湾的人才库缩短先进制程的学习曲线。

另一方面，中国政府为应对以美国为首的拑制，已经邀请国内科技巨头阿里巴巴和腾讯共同参与半导体芯片设计工作，RISC-V架构将成为中企突围的出口。

同时，中国也从美国的盟友寻求“破口”。据外媒报道，美国政府发布芯片禁令之后，更敦促盟国跟进制裁，但拥有最强半导体设备厂艾司摩尔（ASML）的荷兰，先前已经表态会在此问题上自己做决定，表示“要捍卫自己的利益，捍卫国家安全也要捍卫经济利益。”并强调中国是“重要贸易伙伴”。美国媒体《CNBC》分析指出，美国持续施压荷兰要求其遵守规则，目前荷兰的态度让美国心焦难耐。也引发外界关注，未来荷美关系是否生变。

美芯霸权正在衰落，长江存储在晶栈架构技术上取得重大突破，成功动摇美国芯片根基，那么这到底是怎么回事？今天咱们就来聊一聊。

我们都知道伴随着社会的发展，芯片的重要性也变得越来越高，它不仅是全人类智慧的结晶，更是普遍的被应用在了日常生活中的各个方面。

而这也就意味着在不远的未来，高端的芯片注定会成为一个国家强大的象征，但要知道的是，别看芯片只有小小的一颗，要想成功将其制造出来，仅凭一个国家的力量，那可是远远不够的。

只可惜在传统芯片这一领域，老美等西方国家，一直是占据着绝对的垄断地位的，就比如美企垄断了EDA软件、日企垄断了光刻胶市场、而韩企则掌握着最顶级的芯片制造技术。

也正因如此，在西方各国对技术封锁的情况下，我们国内的芯片企业，一直无法进口诸如EUV光刻机等，高端的芯片制造设备，这也就导致我们要想在高端芯片领域取得重大突破，就必须选择从其他国家进口。

同时这也使得我们最后，不得不选择走轻资产的路线，将研发的重点放在芯片设计等细分的领域之中。

所以在之前的很长一段时间里，我们国内的企业，所扮演一直是追赶者的角色，更是无法对一些老牌企业构成威胁。

但伴随着华为等企业的强势崛起，为了保护自己的“霸主”地位，老美便开始不断加强对华为等企业的技术封锁，妄图以这种方法，来成功遏制我国科技的崛起。

正所谓有了压力才有动力，面对西方在芯片领域的封锁，我们并没有选择妥协，而是靠着我们自己的智慧与努力，一次次的打破封锁与垄断，成功在许多领域取得了重大的突破。

就在近日，长江存储就正式对外宣布，由其自主研发的晶栈架构技术，成功取得了重大的技术突破，更是发布了基于该架构，所生产出的闪存芯片X3-9070。

而伴随着这一消息的传出，也意味着我们成功打破了封锁，再也不会在这一领域遭到外企“卡脖子”了。

同时根据晶栈架构技术，其实就是在两个不同的晶圆上，去制造两种电路，然后通过先进的封装技术，将其进行连接，使3D NAND具有更高的存储密度和传输速度。

简单来说的话，晶栈架构技术其实就是制造存储芯片所必须的技术。

那么这个时候可能很多人就会感到疑惑了，存储芯片到底对芯片产业有多重要呢，为什么取得这么一点突破，我们就能高兴好久呢？

要知道在半导体这一领域，除了我们熟悉的CPU芯片之外，存储芯片也是非常重要的，几乎我们的日常生活中所有的电子设备，都需要搭载存储芯片才能正常运行。

同时随着存储芯片市场的不断发展，NAND闪存芯片，也逐渐变成了市场上的主流，但在之前很长的时间里，NAND闪存芯片领域一直是被韩国的三星以及美光等芯片巨头所垄断的。

而如今这一切的封锁与垄断，都伴随着长江存储所自主研发的X3-9070闪存芯片的问世，彻底的被打破了。

因为长江存储所研发的X3-9070闪存芯片，与上一代相比，不仅性能提升了50％，功耗更是下降了25％，同时这也是世界首款，成功量产的200层以上的3D NAND闪存芯片产品。

尽管美韩两国的巨头企业，在之前就已经研发出了200+层数的3D NAND芯片，但他们并没有推出与之相关的产品，这也就为中企提供了反超的机会。

同时也意味着在不久的未来，中企注定会凭借这一优势，成功拿下更多的市场份额。

值得一提的是，在最近的几年时间里，面对着老美的极限打压，也刺激到了我国许多的企业，纷纷开始加快了自主研发的步伐，而长江存储的技术突破，其实只中国在芯片领域崛起的一个开始。

因为如今的中国，正在各个方面对西方国家进行着反超，比如我国的龙芯中科，就自主研发出了LoongArch架构，而阿里平头哥，也在研发着RISC-V架构，更是受到了高通、英特尔等美国巨头企业的青睐。

同时从芯片的进口情况来看，在今年一年的时间里，我们所进口的芯片，变得越来越少，就比如今年的前十个月，我国芯片进口的数量，就减少了超过13%，相当于减少了约700亿颗芯片的进口。

而这一切的一切，也都意味着如今的国产芯片，已经开始对进口芯片进行替代，甚至还逐渐的走向海外市场，更是能够与包括美国芯片在内的，诸多的海外芯片企业进行竞争，而这凸显出了中国芯片发展的迅速。

由此我们就不难看出，危机的出现往往都会伴随着机遇，老美在对我们进行技术封锁与打压的时候，其实也是在为我们芯片的发展提供着机遇，相信在国产芯片的不断努力之下，未来的我们终将会破茧成蝶，而美国终将会为自己的错误而买单。

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