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知识点

一.内存是一个半导体,容易失灵,但只要电力供应保持不变,锁定的信息就不会丢失。

使用闪存技术的U光盘是ROM的一部分。

三. 兰多姆访问与随机访问内存(内存)不相同。只读存储(内存)也是随机访问的。随机访问内存并不总是内存。

四. 计算机操作系统装在辅助(硬盘)中,要求主板上的BIOS芯片(ROM)储存“自动装货软件”,该软件负责将操作系统(打开)装入主内存(内存)。

例题

RAM/ROM

1. 描述动态半导体内存。

A. 在活动过程中,必须对特派团地址进行动态修改。

B. 工作记忆内容的修改

D. 根据原始储存,必须定期进行重写。

D. 阅读后,必须依照原始储存信息重写。

全面更新的程序需要两个准入周期。

完整的清新过程只需要一个进入周期。

【解答】C、F

[分析]本调查调查动态半导体内存的特性。

一个大型集成电路用于半导体储存。它是一种存储装置 用来保存指示或数据它通常作为内部记忆在微型计算机中使用。半导体储存主要由只读存储器和随机存储内存内存内存组成。随机存取内存(内存)有两种类型:静态和动态。动态随机内存存储具有一定时期的特点。必须按照原始储存重新写成。一个容量巨大的存储装置

动态半导体储存是使用电容器记录电荷特性的信息,由于电容器被排干,在电荷丢失之前必须充电,也就是说,这种技术是根据原始材料随时重复重写电容器,因此B是不正确的。

刷新其实分为两步：

第一步是阅读材料并扩大范围。第二步是存入信息，因此,进修被视为知识的再生过程。复习器在内存线上进行。在访问周期期间刷新一条线。这里必须澄清的是:有些人认为清新包括两步:阅读和保存。必须使用两个进入周期。但事实上，阅读的目的不是将信息读入 CPU。不是CPU的,不是CPU的,不是CPU的,不是CPU的,不是CPU的,不是CPU的,不是CPU的,不是CPU的,不是CPU的,不是CPU的,不是CPU的,不是CPU的,不是CPU的,不是CPU的,不是CPU的,不是CPU的,不是CPU的,不是CPU的,不是CPU的,不是CPU的,不是CPU的,不是CPU的,不是CPU的,不是CPU的,不是CPU的,不是CPU的,不是CPU的,不是CPU的,是CPU的。它只是把信息读出，它们通过更新将放大装置重新储存到储存装置中。此外,内存还用于更新扩音器。因此，这里一次访问等于一个准入周期。(这个受试者必须谨防,这就是事情的真相。)

刷新有3种方法:

(1) 中央更新:在一段时间内,只更新所有线路,不进行访问,“死亡时间”更长。

(2) 分门别类的复习:入门周期分为两部分,第一部分为定期访问,第二部分为进修,因此,入门周期延长,系统速度恶化。

(3) 逐步升级:前两种组合,在同一行内有两次更新间隔,只要充电损失持续时间不超过,就足够了;在更新时,一个类似于DMA的周期被转用,“被抽取”来更新该行。

2. 机器使用4位位数低的跨矿床。下列程序是独立执行的:(1) 读取六个连续地址单位的存储词,80倍以上; (2) 读8个连续地址单位中储存的单词,重复60次。在(1)和(2)上花费的时间除以()。

A.1 : 1      B.2:1      C.4:3       D.3:4

【解答】C

[分析]假定记忆存取周期为T。

(1) T+(6-1)x(T/4)=2.25T,如果连续读取六个储存的单词。另一方面,将第一个词储存在连续的单词中,在3T时间之前,下一轮将无法读取。因此,(1) 总共需要3Tx(801)+2,25T=239.75T;

2) 同样,在阅读了第75T轮(T+(8-1)x(T/4)=2号需要后,在读完第75T轮(T+(8-1)x(T/4)=2号需要3T时间开始下一轮阅读后,(2)总共需要3Tx(601)+2=179.75T。

当将(1)和(2)加在一起时,在(1)和(2)上花费的时间大约为4:1。

3. 以下陈述正确无误()。

一. 高级别多机构交叉储存与流程的位置完全吻合。

二. 在储存周期内,高级别的四方跨保管人可持续接触四个单元。

三. 内存有两个可同时在同一地点同时写出同一单位的港口。

抱歉 我不知道你在说什么 如果两个港口都有相同的地址密码 双端港口的记忆就会发生冲突

A.一、三、B.仅限二、三、C.仅限二、三和四、D.三、四。

【解答】B

【分析】

一:高位多个交叉保管人在一个单一的记忆中连续关押这一事实并不能保证这一过程的地点。由于其交叉储存,低位多位交叉储存库非常适合流程所在地点。,所以Ⅰ错误

二:虽然高象体交叉存储不允许连续读取程序,但读取四个字还是可行的,其顺序与一个地址至另一个地址的存储容量不同。虽然可能性很小,但并非不可能,因此,二字是真实的。

三:虽然双港内存有两个不同的阅读/书写港口,有自己的地址内存和翻译线路,但无法在同一区域或同一单位同时使用。写第三点是不正确的,因为当一方写作时,一个忙碌的标志阻止另一方访问。 当两个港口的地址代码相同时,双端端口内存的读写操作不会发生冲突。

4. 多边形平行有两种类型:在多处交叉位置高的贮存装置中设有方案的项目和没有方案的项目。①该软件是一个储存库,在多个记忆中运行,有低层次的交叉地点。②。

解答者:这个问题的解决方案是:按照身体地址的顺序排列1, 2 持续储存在相邻身体中。

当雇用了许多跨商店时,存储器大多是从地址底部选择的。

如果经常存取的储存装置设在不同的储存区,同时使用许多跨商店,取用速度就会提高。

矿址是多极储存装置,M-储存地的交叉地点较低。

附加：

** 本方案的地理位置**:它指的是程序将要使用的数据,可能接近或接近已在空间使用的数据。 计算机系统结构的基本原理之一是程序本地化的概念。

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