小学生学编程对以后的好处，现在小学生学编程有什么发展

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互补逻辑和存储电路的锯中电器技术

紫外线照射可以有效地去除大部分储存的电荷，因为任何剩余的电荷都可能被困在介质/体界面上。

开关电压的降低会随着硬脑膜的增加而增加编程电压脉冲（因此FN隧道），器件也可以通过施加一个极性相反的大栅极电压来通过FN隧道来消除，在长时间的擦除期间，将孔注入介电层，使开关电压超过其固有值。

本文中使用的程序/擦除时间k比闪存设备的典型时间（10 ms）要长得多。

这是因为一层介电材料（40纳米厚的氧化铝）既是隧穿材料，又是电荷层材料。

使用多层电介质堆栈，包括至少一个薄的（小于3纳米厚的）隧道介电层和具有较小能带隙的电荷存储层(允许电子直接隧穿进入导带)应该提供更快的程序/擦除操作，以及改善保留和耐力特性。

注意到这一点由于电介质堆栈是次优的，因此在这里没有报告耐力特性。

存储密度是任何内存设备的一个考虑因素。

如前所述，基于中继的存储单元可能可以存储一个以上的信息。

以进一步增加储存密度y，必须减少设备的布局面积。如果垂直尺寸，如TACT、t接触点和体电极厚度，与横向尺寸成比例缩小，则细胞o渗透电压也会按比例降低。

为了避免接触区域的粘结问题，干释放-蚀刻过程(例如使用无水高频和蒸汽的混合物在亚大气压下的酶甲醇)可以使用。

一个4-T继电器被证明作为一个记忆细胞。

为了实现快速的程序/擦除操作和较长的保留时间，需要一个多层电介质。

这样的电介质堆栈不会对逻辑继电器造成问题，因为它只用于电隔离通道。换句话说，相同的多层介电堆栈可以用于逻辑和存储器例如，并且不会显著影响逻辑继电器的操作、耐久性或可伸缩性。

对于给定的驱动间隙（TACT），继电器开关电压将随着而增加栅介质堆的静价气隙厚度-这将非常小，因为栅介质材料的介电常数将比空气大得多。

相比之下，介电层也必须在栅极电极和通道区域之间提供足够的电容耦合；因此，在CMOS技术中，逻辑设备和内存设备的电子堆栈通常是不同的。

因此，4-T中继逻辑技术可以提供嵌入式内存能力，而不需要显著的额外专业过程成本。

制造的锯继电器显示完美互补开关行为，对称的VDD / 2，与极陡峭的开关行为（小于1mV/10年），非常小的开关不对称（约300 mV)和低的状态电阻（小于1 kΩ)。

完全互补和对称的操作提供了零撬杆电流，这证明了一个突然的逆变器电压传输特性。

各种逻辑函数可以通过适当地偏置一个看到来实现锯继电器。

跷锯式继电器也可以配置为双稳态锁存器，因此存储单元可以用一个继电器和一个接入晶体管或继电器实现。

锯齿式继电器软件测量俯仰速度与集流参数建模结果吻合较好。

纳米机电继电器已被提出用于超低功耗数字集成电路应用，因为它们的理想开关行为(零断态泄漏和突然开启/原则上，允许电源电压（VDD）比互补金属氧化物半导体（CMOS）晶体管进一步缩小。

千微米级单端继电器最近已经被证明，当使用体电极作为阈值时，它能在超过109个开/关周期和相对较低的栅极电压摆动（小于2 V）下可靠地工作电压（VTH）调整器。

继电器作为“上拉”和“下拉”设备的操作是实现互补逻辑的理想条件，并进行了演示。

各种功能齐全的数字设备-集成电路构件，如负载产生电路、振荡器，已经使用这些单端继电器和无源电路元件进行了演示。

VTH的值设置为开关与VDD / 2对称，以最大限度地提高工作电压裕量和使撬棒电流最小化。

然而，用单端技术来实现这一点是具有挑战性的继电器，由于过程诱导的VTH变化及其被动拉出机制。

一个单一的结构也更适合于更紧凑的机械实现简单的数字逻辑功能，例如，一个单一的微机电结构运行在弯曲模式已被证明是一个门。

可以通过一个大角度（± 10度）旋转的大量扭转结构（超过50万种元素）具有已被证明可以可靠地运行超过10个12个循环，没有机械故障，如疲劳、应力破裂和蠕变。

一种扭转射频微机电系统开关已被证明工作在非常低的接触电阻小于1Ω，因此低插入损耗。

引用文献：

[1]费控电能表用继电器可靠性评估技术研究

[2]智能电能表磁保持继电器批量检测方法的研究

[3]浅谈智能电能表中继电器的故障及解决方案

[4]运行中智能电能表的常见故障及解决方案

[5]智能电能表主要故障分析与对策

[6]智能电能表使用中存在的主要故障分析与对策

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