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微电子所在三维存算一体芯片领域取得重要进展

随着芯片工艺制造的进步，工艺制程逐渐接近物理极限，深度神经网络的发展使得计算量和参数量呈指数上升，阻变存储器应用于大规模神经网络面临多个个挑战：1）由于卷积神经网络权值数量不断增加，使得阻变存储器的面积开销越来越大；2）对于多值大规模阻变存储器阵列，当参与乘累加计算的阻变单元数量很大时，由于阻变单元电导漂移而引起的误差累积更严重；3）三维阻变存储器阵列由于制造工艺难度更大，使得阻变单元与电路协同设计实现困难。

针对上述问题，微电子研究所重点实验室刘明院士团队研发了基于三维阻变存储器存内计算宏芯片。科研人员将多值自选通(Multi-level self-selective，MLSS）三维垂直阻变存储器与抗漂移多位模拟输入权值乘（ADINWM）方案相结合，实现了高密度计算；在抗漂移多位模拟输入权值乘方案基础上提出了电流幅值离散整形（CADS）电路用于增加读出电流的感知容限（SM）用于后续精确的模拟乘法计算，解决了由于三维阻变存储器阵列单元电导波动引起的在传统并行字线输入原位乘累加方案下不可恢复的读出电流失真；采用nA级操作电流的三维垂直阻变存储器阵列降低系统功耗，同时引入具有栅预充电开关跟随器（GPSF）的模拟乘法器与直接小电流模数转换器降低延时。当输入、权重和输出数据分别为8位、9位和22位时，位密度为58.2 bit/μm–2，能效为8.32 TOPS/W。与传统方法相比，提供了更准确的大脑MRI边缘检测和更高的CIFAR-10数据集推理精度。

上述研究成果以“A Computing-in-memory macro with three dimensional resistive random-access memory”为题在电子学领域国际顶级期刊《自然-电子学》（Nature Electronics）上在线发表，实现了中科院微电子所在Nature大类子刊零的突破。

图1. 2D RRAM应用于大型3D CNN的挑战及所提出的三维计算方案。a、更多的权重、多位权重表示和更宽的金属线引入更多设计难题 b、读出电流的挑战是交叠及低功耗和低延迟之间的矛盾。c、基于MLSS 3D VRRAM的高精度非易失存内计算方案。借助CADS电路的ADINWM方案可以有效缓解传统PWIVMM方案引起的电流交叠，提高推理精度。基于集成3D VRRAM芯片的CIM宏的实现阐述了执行CNN边缘计算的完整解决方案。

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准确率98％！磁阻内存内计算全球首秀

三星半导体宣布，通过结构创新，实现了基于MRAM(磁阻随机存取存储器)的内存内计算(In-Memory Computing)，进一步拓展了三星的下一代低功耗人工智能芯片技术的前沿领域。

在传统的计算体系中，内存中的数据要转移到处理芯片的数据计算单元中进行处理，对于带宽、时延要求非常高。

内存内计算则是一种新的计算模式，也可以叫做“存算一体化”，在内存中同时执行数据存储、数据计算处理，无需往复移动数据。

同时，内存网络中的数据处理是以高度并行的方式执行，因此提高性能的同时，还能大大降低功耗。

对比其他存储器，MRAM磁阻内存在运行速度、寿命、量产方面都有明显优势，功耗也远低于传统DRAM，关键是还具有非易失的特点，即断电不会丢失数据。

不过一直以来，MRAM磁阻内存很难用于内存内计算，因为它在标准的内存内计算架构中无法发挥低功耗优势。

三星研究团队设计了一种名为“电阻总和”(resistance sum)的新型内存内计算架构，取代标准的“电流总和”(current-sum)架构，成功开发了一种能演示内存内计算架构的MRAM阵列芯片，命名为“用于内存内计算的磁阻内存交叉阵列”(crossbar array of magnetoresistive memory devices for in-memory computing)。

这一阵列成功解决了单个MRAM器件的小电阻问题，从而降低功耗，实现了基于MRAM的内存内计算。

按照三星的说法，在执行AI计算时，MRAM内存内计算可以做到98％的笔迹识别成功率、93％的人脸识别准确率。#科技快讯#

【“武字头”：挺起共和国工业脊梁】1953年，国家第一个五年计划出炉，武钢、武重、武锅、武船等多个国家重点项目在汉落地。今天，在武汉市的光谷、沌口、临空港、新洲，国家存储器基地、国家航天产业基地、国家新能源和智能网联汽车基地、国家网络安全人才与创新基地这四大国家级新基地正拔节生长。它们一如60年前的“武字头”企业，给武汉这座“国之重镇”赋予新内涵。

铁电-2D半导体vdW架构中的可重构准非易失性存储/亚热离子FET功能

研究背景

铁电场效应晶体管(FeFET)是非易失性存储器组件，其中信息存储在铁电栅极电介质的极化内。此外，FeFET可以设计为表现出可塑性和多个逻辑水平来物理模拟生物系统，这在人工神经网络和神经形态计算中是有利的。由于铁电晶体和半导体晶体之间的晶格失配，薄膜基FeFET通常伴随着复杂的界面问题，包括缺陷、氧化层、应变和电荷陷阱，这会导致器件工作的不确定性。具有原子薄性质和无悬键表面的2D半导体可以通过范德华（vdW）力与铁电体堆叠，缓解界面问题。非易失性存储和人工突触功能已在2D vdW FeFET中得到证实。铁电体具有热力学不稳定的负电容状态。正电容与铁电体的串联可以使铁电体电容稳定在负状态。因此，通过将普通电介质(DE)插入FeFET中，可以在铁电-绝缘体-半导体(FIS)异质结中实现负电容FET(NCFET)。据报道，NCFET具有亚热离子亚阈值摆幅(SS)的无迟滞转移特性，这与FeFET截然不同，并且有利于低功耗逻辑应用。最近，基于铁电邻近效应，即铁电极化的非易失性静电掺杂，通过使用扫描探针技术或多栅极操作控制局部铁电极化，已经报道了半导体沟道中的可编程掺杂分布。因此，单个2D FeFET能够同时执行逻辑、内存和突触操作，并且可以按需定制功能。这种器件设计理念促进了内存计算和晶体管-内存单片集成方案的开发，有望突破传统冯诺依曼机器中内存和处理单元之间的物理分离。

成果介绍

有鉴于此，近日，中南大学孙健教授和罗行副教授（共同通讯作者）等通过控制界面处铁电氧空位的行为，展示了铁电栅控范德华晶体管中的可重构存储器/晶体管功能。通过调节边界氧空位分布和相关的电荷动力学证明了短时程和长时程存储功能。准非易失性长时程存储器具有超过105 s的数据保留时间和高达5×105次循环的耐久性，证实了其作为神经形态网络潜在器件平台的适用性。更重要的是，通过调节界面铁电畴的铁电性与氧空位的相互作用，实现了一个无迟滞的逻辑晶体管，其亚热离子亚阈值摆幅低至46 mV dec-1，类似于负电容场效应晶体管。在单栅极铁电场效应晶体管中实现具有先前器件性能的功能重构的新概念在未来的集成电路应用中具有很大的优势。文章以“Reconfigurable Quasi-Nonvolatile Memory/Subthermionic FET Functions in Ferroelectric-2D Semiconductor vdW Architectures”为题方便在顶级期刊Advanced Materials上。

普通出版物与电子出版物的区别，你了解吗❓

普通出版物与电子出版物的区别在于，

普通出版物，一般包括图书，报纸，传单等由传统印刷方式出版，载体是纸张

电子出版物一般包括光盘，磁带，电子存储器等电子载体，内容非常丰富，有音乐，电影，图书，语音读物，所以也称为多媒体出版物，发行方式有有形发行方式和无形发行方式两种，可以由电台，电视台直接发布（新闻）

可以由网络向外发布（电影），也可以由电子载体向外发行（歌曲），电子出版物时效性更强，传播速度更快

21)计算机中，用来存放程序和数据的记忆装置是存储器，是计算机能实现“存储程序控制"的基础。

22)中央处理器（CPU）中的控制器是整个计算机的指挥中心，用来存放数据和程序，它按照人们预先设定的操作步骤，控制计算机的各部件，实现有条不紊地自动工作。

23)下列选项中，被称为“变色大王”的是碘。 气体可压缩存储在钢瓶中是因为分子之间有间隔。

24)中国对外援助从帮助周边友好国家开始起步。 中国的舟山渔场建在上升流显著的海域。

25)盗版软件侵犯的是软件的版权。 下面关于计量单位的描述错误的是1光年是365天。

26)被视为“化工原料之母”的是煤。 抽签时先抽和后抽中签的几率是相等的。

27)大雁塔是现存最早、规模最大的唐代四方楼阁式砖塔。 “纳米”是长度计量单位之一。

28)以下哪项不是为了合理利用水资源而采取的措施西气东输。 铈是一种稀土元素。

29)人类最早认识自然规律使用的研究方法是观察法。 发生煤气中毒后，应首先将病人移到通风处。

30)旧石器时代，是以使用打制石器为标志的人类物质文化发展阶段。

31)微观粒子，包括电子和光，都具有“波粒二象性”。

32)我国学者研究的“多节点量子网络”取得基础性突破。

33)中国古代官员制度三公九卿制中的“三公”不包括廷尉。

34)利用均匀水流导致的水位变化来显示时间，是漏刻计时的基本原理。

35)中国古代兵器戟除了是实战作用，又被列于门前，体现主人身份地位。

36)在中国古代兵器中，剑被称为“百兵之君”，也就是兵器之首。

37)我国佛教禅宗祖庭，被誉为“天下第一名刹”的是少林寺。

38)我国古代六艺所指的六种技能是礼、乐、射、御、书、数。

39)锂离子电池充电时，锂离子运动的方向是锂离子从正极运动到负极。

40)一些材料在温度降到足够低时，电阻会突然降为零，它们叫作超导体。 #学习强国有哪些得分小技巧#

货币宽松政策下，

青睐机构资金增持，聚焦科技成长赛道，科技领域细分行业龙头个股，重点分析！

安防监控产品龙头：

海康威视002415

公司亮点，国内最大安防视频监控产品供应商

存储器龙头：

兆易创新603986

公司亮点，主要产品为闪存芯片，半导体存储器领域领导企业

医疗器械龙头：

迈瑞医疗300760

公司亮点，国内医疗器械龙头

覆铜板龙头：

生益科技600183

公司亮点，全球第二大刚性覆铜板生产企业，全球市占率超过10%

连接器龙头：

立讯精密002475

公司亮点，我国最大的连接器制造厂商

网页游戏龙头：

三七互娱002555

公司亮点，手机游戏和网页游戏的研发、发行和运营

锂电池龙头：

宁德时代300750

公司亮点，全球领先的新能源创新科技公司，动力电池使用量连续多年排名全球第一

服务器龙头：

中国长城000066

公司亮点，金融智能网点解决方案国内市场占有率第一

CRO龙头：

药明康德603259

公司亮点，全球领先的"一体化、端到端"的新药研发服务平台

通信终端龙头

亿联网络300628

公司亮点，SIP话机市场占有率为全球第一

投资逻辑：

机构资金增持，聚焦科技成长赛道！原因从宏观调控数据来看，2022年上半年政策还是宽松，尤其是一季度，这就是主力最爱！

市场资金活跃，板块热点轮动，结构性机会就多多！

机构资金，不仅有专业的技术分析能力、海量的调研信息，能够提前发现好股票，而且由于资金量大，机构资金往往也能够决定一只股票的去向。

因此，跟随机构资金操作，是A股市场上一种有效的投资策略。

从公募三季报统计数据来看，Q3机构配置中科技行业集体获得增持，其中计算机（+0.53pct）、军工（+0.44pct）、通信（+0.29pct），从机构资金的加仓动作中，按图索骥，不难看出，大资金看好科技成长赛道的机会。

目前高科技领域国产替代趋势不可逆转，在科技创新的大浪潮中，相信大科技赛道中会有大量公司脱颖而出，积极跟随机构资金，重点把握科技领域的投资机会！

近三天，我会把相关科技龙头企业，梳理出来供大家参考！

最后，

向大家推荐一个我自己写的专栏，咱们做股票投资，理想的就是基本面选股，技术面选时，趋势浪级持股。

利用元旦假期，

好好学习，补足盲点，打赢2022年投资准备战！

不管是个股还是大盘，K线的技术形态是每天都要看的，因为技术形态的支撑阻力，都是由一根根K线所组成的。

但是怎么样看K线，什么样的K线形态，意味着行情结束，而什么样的K线形态，意味着后续行情的开始，这些都是可以通过看K线来发现的。

专栏里有对于K线进行详细的解读，到K线的综合应用，都讲得深入透彻。

还有MACD、KDJ等技术指标的运用，包括上市公司的基本面的研究，趋势浪级，战法等具有重要的实践指导意义，大家可以放心购买细细研读，相信不管是新手还是老手，对于提升咱们的看盘能力和实践交易都是很有帮助的。

这个冬季♥看见温暖！

行走股市，如何“虎”口夺食？

订购专栏的粉丝朋友，如果里面的部分内容，看不懂的可以私信找我，交流学习，再结合市场做实盘选股探讨！#股票# #财经# #投资理财# #我要上头条#

#中芯国际# 大学舍友在中芯国际，王哥给我介绍了一下他们的梁孟松博士，他于2017年10月16日获委任为中芯国际公司联合首席执行官兼执行董事。梁博士在半导体业界有着逾三十四年经历，从事储存器以及先进逻辑制程技术开发，拥有逾450项半导体专利，曾发表技术论文350余篇。梁博士还是电机和电子工程师学会院士。

梁博士到中芯国际之后，带领公司研发团队把公司的芯片制造工艺从28nm提高到接近7nm(这里为什么说是接近呢？是因为工艺的改良，采用N+1工艺，将14nm的性能提升20%，功耗降低57%，逻辑面积减少63%，SoC面积减少55%，基本达到7nm工艺的技术门槛)，这意味着由于梁总来到中芯国际，他的工艺技术提升了5代，梁总的功劳可想而知。

18年，中芯国际曾向ASML订购一台EUV，由于川普的干扰，荷兰当局无法给ASML提供光刻机出口许可证，导致无法交货。虽然20年疫情爆发，ASML营收大幅下降，但其共完成出货41台EUV光刻机，其中台积电到20年底已经有34台EUV，三星也有19台EUV，而据外媒报道，台积电也已经向ASML下达了21年EUV光刻机的订单，数量至少为13台，这是由于台积电已经加大了5nm，6nm工艺的投产，代工的产品包括苹果A14、M1、华为麒麟9000等，其对于EUV的需求会大大增加。而三星副董事长李在镕访问ASML时，要求ASML21年交付20台EUV光刻机，三星也已经投产5nm工艺，代工的产品包括Exynos1080、骁龙880等。现在看来，中芯国际想要赶超台积电和三星，未来的路还跟漫长，还要国产化的替代啊。(以上图片摘自网络)

全体股民注意了！半导体产业链上中下游名单全梳理：

上游：IC设计、半导体材料、半导体设备

IC设计：兆易创新、国科微、韦尔股份、弘信电子、富瀚微、景嘉微、紫光国芯、北京君正、中颖电子、全志科技、汇顶科技、国民技术

半导体材料：阿石创、晶瑞股份、飞凯材料、南大光电、有研新材、雅克科技、江丰电子、鼎龙股份

半导体设备：北方华创、晶盛机电、至纯科技、长川科技

中游：半导体制造、半导体封测

半导体制造：三安光电、捷捷微电、纳思达、扬杰科技、士兰微、上海贝岭、华微电子

半导体封测：晶方科技、长电科技、华天科技、苏州固锝、通富微电、

下游：需求非常广泛。包括移动通信、计算机、存储器、无线网络、汽车电子、电视机和监测设备等，这里就不列举了。

(免责声明：以上内容仅供参考，不构成操作建议。如自行操作，注意仓位控制和风险自负。)

完啦！健康码行程码都打不开！看看成都人民有多强大！因为大部分学校要求家长提供行程码及健康码！没想到全民崩溃进不去啦！更打不开了……

很多朋友以为是手机坏了重启多次仍然不行，开学的心情可以理解，但没想到啊！几年来，从来没有遇到过的情况！这是网络问题，还是后台储存器的问题……

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