鼠标跨境版驱动是什么意思，io1.1鼠标与io1.0区别

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已量产的电子产品电路图，一个简单的继电器电路，为什么要加2个三极管，2个IO口去驱动？RLY2的三极管加了下拉电阻，而RLY1的三极管为什么不加下拉电阻？如果去掉其中一个三极管行不行？单片机控制程序的时候是先开RLY1还是先开RLY2？这些问题你都知道吗？

都是细节的东西，只有做过类似产品的人才知道为什么要这么设计，没做过项目的人肯定会说一个三极管驱动继电器就够了，搞这么多浪费钱，而且还增加画板难度，浪费单片机一个IO口呢。

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芯片哥：

如何驱动高压MOS管？

EG3014芯片，它可以直接驱动两个MOS管，构成一个半桥电路。芯片的HIN引脚和LIN引脚，直接连接到单片机的两个IO引脚，就可以完成单片机控制MOS管的功能了。

在这个电路中，MOS管的电压最大可以为100V。它内部已经集成了防死区控制的功能，即使单片机的程序想控制两个MOS管导通，芯片内部也会锁住，使得实际只能导通下面的MOS管。

这样，就不会出现短路现象了。

什么是拉电流？什么是灌电流？

很多网友搞不清灌电流和拉电流的概念，今天我们就来了解一下吧，希望大家看过后不再有此困扰。

    说起这两种电流的含义，有一个重要的前提：灌电流和拉电流是针对端口而言的。

1、灌电流

    名词解释——灌：注入、填充，由外向内、由虚而实。渴了，来一大杯鲜榨橙汁，一饮而尽，饱了，这叫“灌”。 

灌电流（sink current） ，对一个端口而言，如果电流方向是向其内部流动的则是“灌电流”，比如一个IO通过一个电阻和一个LED连接至VCC，当该IO输出为逻辑0时能不能点亮LED，去查该器件手册中sink current参数。

2、拉电流

    名词解释——拉：流出、排空，由内向外，由实而虚。一大杯鲜橙汁喝了，过会儿，憋的慌，赶紧找卫生间，一阵“大雨”，舒坦了，这叫“拉”。 

拉电流（sourcing current），对一个端口而言，如果电流方向是向其外部流动的则是“拉电流”，比如一个IO通过一个电阻和一个LED连至GND，当该IO输出为逻辑1时能不能点亮LED，去查该器件手册中sourcing current参数。

3、拉电流和灌电流的区别

拉电流和灌电流的区分在于提供负载电流的方向不同，电路本身的驱动能力也不同。对于绝大多数的逻辑电路（数字电路和单片机等）和模拟电路（例如运放和比较器），他们输出“拉电流”的能力一般都比较弱，一般只有几毫安（小于5mA），而输出“灌电流”的能力却相对较强，一般可达5~10mA。（但另外一些逻辑门电路和单片机“拉电流”能力和“灌电流”能力非常接近，或者相同。）

4、拉电流和灌电流的适用场合

一般情况下，在需要一定电流驱动的情况下，通常将驱动负载使用“灌电流”比较合适，对于只是提供“开关信号”或者基本不需要电流驱动的情况下，使用“拉电流”比较合适。

用DRV8870驱动电机，烧坏STM32F0

看着Datasheet接的，很简单，测试的时候莫名其妙地把MCU烧成短路。

电机是12V工作的，建议大家以后驱动或控制不同的电压的芯片时，所连接的IO一要加入光耦或者电阻进行隔离，可以避免各种奇怪的故障哦！

血的教训啊！

一位头条网友因为其设计马达桥式驱动电路的不良率比较高，找到了我，让我分析可能的原因。

我提出了以下几点意见：

1) D极和gnd之间增加电容，吸收高压毛刺。

2) G和S极之并联电阻和稳压二极管吸收高压以及避免在上电瞬间等情况下出现高阻状态。

3) 单片机定时翻转IO口输出方波用于PWM驱动信号的使能控制，避免单片机出故障时，无法进行短路保护出现严重的后果。

4) INA199的输出端并联一个二极管，用于输入保护。

5) 短路保护通过单片机输出PWM与输入电流做比较用外部中断实现us级的保护，注意需要加R、C滤波避免反复进入中断。

6）在检测到中断进行保护之后，需要禁止中断一段时间。避免中断负荷太重。同时保留1ms定时器短路保护的功能，做到双保险。

7）另外在1ms定时中采用热积累的模型做堵转判断和保护。

8）做DFMEA分析。

9) 理论结合实际，详细测试各部分电路的波形，根据理论推导认真分析，特别是驱动波形的高电平电压以及上升沿和下降沿。

10) 分析MOSFET的功耗和温升，因为G、S极之间并联了电容，可能导致上升沿比较缓，使得导通和断开瞬间的功耗比较大，另外MOSFET的导通电阻一致性差，使得导通时的功耗偏差大，使得温升太高的不良率很高。设计规范中对PCB走线的温升定义如下:

Rule of thumb is to keep the trace temperature rise at or below 20 deg C.

虽然这个单片机项目开发比较费时间，但是已经接了这个项目，那就试试看吧。因为有一个MCU不支持任何通信协议，昨天很多朋友给出的方法是利用普通IO口模拟IIC，我之前只做过单边MCU模拟IIC，这个比较简单，网上也有很多案例，成功驱动过一些支持IIC通信设备。但是两个MCU同时模拟IIC通信进行数据传输，我也不知道怎么下手，网上也没有找到双边模拟IIC通信的DEMO。

因为现在硬件是改动不了，只有两个普通的IO口，我还是按照原来的思路，模仿NEC协议去模拟通信，底层的驱动已经写好了。

发送端会间隔一段时间发送一次。首先会发送起始位，然后发送数据位，数据位为byte类型，需要发送多少个byte数据，重新定义SendLen长度即可。然后发送终止信号。整个发送时间长短和SendLen长度有关，因为我是发送了起始位之后，后面紧跟的是u8SendData[SendLen]，一次性将数据发完，然后到停止信号。

接收端的数据会保存在u8ReceData[ReceLen]数组中，由于我的发送端是从低位开始发送，我的接收端也是先从低位开始接收，所以不用对数据进行移位处理，接收端的数据就是发送端的数据。当接收到完整终止信号之后，f_ReceOk会置为1，这时候我们就可以读取u8ReceData[ReceLen]里面的内容了。

现在底层代码都是用C语言写的，另一个MCU还需要用汇编语言再写一遍，开发起来太费劲了，同样的事情重复做。然后再把项目的其他业务逻辑写完，用逻辑分析仪看看通信数据有没有正确输出，这个项目就要快完成了。调试最麻烦的地方就是通信那里了，既然保证发送端时序正确，也要保证接收端的代码能够正确接收。

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前两天用单片机的IO口测试GSM TX_ON指示灯，发现测出来的数值是1300微秒左右，在我的印象中，GSM的突发脉冲宽度是577微秒，测试值与理论值相差有点大。

问题出在哪里呢？

经过分析后，怀疑是始终总线的频率可能用错了，我用的是TIM8定时器，分频计算用的是APB1的120MHz始终频率，可能TIM8用的不是APB1的总线，而是用的APB2的240MHz时钟总线。

于是我去查H745ZIQ的数据手册，但是这个双核的单片机数据手册写法跟以前F4系列的不太一样，在系统架构框图里查不到时钟总线与定时器的关系，翻遍着真个手册，只发现在寄存器哪里APB2与TIM8有关系，但我又不是特别地确定。

我以前在搞F429单片机的时候，也被这个问题困扰过，后来发现，在HAL库的某个函数源码里是可以查到定时器使用的时钟总线的，当时还特别兴奋，觉得找到了捷径，不用再去查数据手册了，可是现在我要查H745的TIM8时钟总线的时候，我怎么也回忆不起来，哪是一个什么函数了。

从初步的感觉来猜，肯定是一个初始化函数，于是在整个驱动库里面用关键字搜，星光不问赶路人，终于搜出来了，是定时器的使能函数，里面使用的是APB2时钟总线。

这就解释为什么我的测试值是1300微秒，重新分频之后，终于得到了600微妙左右的测试值。

死记不如烂笔头，突然获得的知识，很容易忘记，easy come easy go，还是要多记笔记。

这张是韦伯试炼的木星图像，这两张是最新拍摄的木星图像。是不是有很大区别？让我们详解一下图中的种种细节。

第一张木星看起来圆润光滑，图像中的波浪和云层中大量细节展露无遗。

第二张广角图片有北极和南极的明亮光带，以及木星卫星及其微弱的环系统，背景中还有微弱的星系。

这两张图片来自韦伯空间望远镜的近红外相机（NIRCam），它具有三个专门的红外滤光片，可以展示木星的大量细节。由于人眼看不到红外光，因此已将光映射到可见光谱上。通常，波长越长的光显得越红，而波长越短的光则显示得越蓝。

在这张韦伯2022年7月拍摄的特写图像中，我们能看到覆盖木星的明亮云层中有许多涡流。最明显就是大红点，在这里它成了大白点。与许多周围呈现白色的风暴系统一样，它们反射了太多的阳光，才呈现出白色，这是一个非常明显的特征。大红斑是一个比地球还大的巨大风暴，它也是木星上最亮的特征之一。这里的亮度表示木星表面的高海拔地区，众多明亮的白色‘斑点’和‘条纹’很可能是高空凝聚对流风暴的云顶，大红斑和明亮的赤道风暴带就是代表。相比之下，赤道以北的暗带高空几乎没有云层，反射的阳光较少。现在，詹姆斯韦伯太空望远镜拍摄到的新图像，将为科学家提供更多关于木星内部生命的线索。明亮的极光延伸到木星两极的高海拔地区，这些极光主要由木星的强磁场驱动，引导带电粒子撞击木星两极的大气层。

木星的自传速度很快，10小时就能转一圈，在考虑到它巨大的体积，大红斑的移动速度很快。而韦伯的成像时间又比较长，这就造成了在连续图像中大红斑的移动很明显。如果我们注意，第一张图片和第二张图片中大红点的位置有些许移动。

第二张广角图片不仅有木星的两颗小卫星--阿玛尔忒亚和阿德拉斯泰亚，还有比行星本身暗约一百万倍的木星环系统。如果我们仔细观察图像左下角，能看到几个模糊的斑点。这些很可能是背景中遥远的星系。这次没有拍清它们，主要是因为主角木星太亮了，不需要太长时间的曝光，所以没法展示更多的细节。

最外圈是木卫一（IO）留下的痕迹。木卫一上的火山活动非常活跃，它不断喷出熔岩、灰尘和各种气体，形成了这圈明亮的带。其中一些带电离子，会坠入木星两极形成极光。这是对木星极光的模拟，我们可以看到看到木卫一带电粒子的足迹。如果这一猜测得到证实，那么木星系统就能自产自销极光了。

应变SrTiO3同质外延薄膜中的强室温铁电性

虽然顺电体中异常铁电性的发现为丰富铁电族的多样性和促进新功能的发展提供了巨大的机遇，但将顺电相转变为铁电相仍然具有挑战性。有鉴于此，北京科技大学陈骏教授等人提出了一种通过引入M/O缺陷（M为金属）钙钛矿纳米域来驱动顺电体转变为铁电态的方法。

本文要点：

1）通过引入缺乏Ti/O的钙钛矿纳米域，在SrTiO3同质外延薄膜中实现了强室温铁电性。引入Ti/O缺陷钙钛矿纳米域的SrTiO3同质外延薄膜的最大极化（Pmax）为41.6 µC cm−2，具有增加的四方性（c/a=1.038）和极高的热稳定性（Tstable），最高可达1098 K。铁电磁滞测量和压电力显微镜（PFM）证实了其强大的宏观铁电性能。

2）原子尺度扫描透射电子显微镜（STEM）、X射线吸收光谱（XAS）和拉曼光谱的联合研究系统地揭示了纳米域的Ti和O空位对周围晶格施加了拉伸应变。这引起了立方-四方结构的转变，并增强了Ti 3d-O 2p轨道杂化以及极性振动模式，从而导致了薄膜中Ti和Sr原子的极性位移。密度泛函理论（DFT）计算进一步阐明了这种具有典型双阱朗道能级分布的铁电有序在本质上是由Ti/O缺陷晶胞中的电子掺杂效应稳定的。

这项研究表明，精确控制顺电体中不同组成元素是发现新铁电材料或其他功能材料的有效途径。

Tianyu Li et al. Strong Room-Temperature Ferroelectricity in Strained SrTiO3 Homoepitaxial Film. Adv. Mater. 2021, 2008316.

DOI: 10.1002/adma.202008316.

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多组数据分析是一种典型的高性能数据分析系统（HDPA），特别需要高性能存储提供高速IO和数据带宽。同时为了更好支持“多模数据分析”，需要存储实现多模数据（结构化数据，非结构化数据）的存储能力。

在疾病筛查、伴随诊断中，如果只对单一组学的数据进行分析，会给靶点的筛选带来极大的局限性。要想实现复杂疾病精准医疗，有赖于多维度数据的积累，待多维度病患数据丰富后，对多组学数据进行多层次、多维度的综合分析，有助于研究者更加全面和系统地认识疾病的发生、发展，为疾病早筛、临床诊断乃至之后的药物研发和精准医疗提供更多可用和有效信息。

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感谢华西医院张伟书记，刘伦旭副院长，赛乐张继翔总。

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