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目前应用于陶瓷基板的陶瓷材料主要有:氧化铍(BeO)、氧化铝(Al2O3)、氮化铝(AlN)、氮化硅(Si3N4)和碳化硅(SiC)等。

其性能参数如表所示

无论是高铁、新能源汽车、高端机床、风力、光伏逆变，还是高端手机、消费电子以及各种自动化设备都需要电子电力集成电路进行驱动，这是一个超千亿级的大市场。

在这个超级大市场中，功率集成电路陶瓷基板是承载半导体功率器件的关键材料。其中最重要的一步就是需要成熟的大功率半导体安装用电路基板，而这个安装基板最有前途的材料就是：氮化硅陶瓷电路基板。

与AlN和Al2O3陶瓷基板材料相比，Si3N4具有一系列独特的优势。Si3N4属于六方晶系，有α、β和γ三种晶相。有研究者根据Si3N4结构提出氮化硅的理论热导率在200～300W/（m·K）。此外，在陶瓷电路基板成型中，氮化硅的金属化稳定性上比氮化铝要好。

目前国内IGBT用高导热率氮化硅基板目前还是以进口为主，特别是高铁上的大功率器件控制模块；国内的陶瓷基板覆铜技术不能完全达到对覆铜板的严格考核，例如热循环次数。目前，国际上都采用先进的活化金属键合（AMB）技术进行覆铜，比直接覆铜（DBC）具有更高的结合强度和冷热循环特性。

丰田系以普锐斯为首的油电混合动力车型（HEV）已大规模采用氮化硅陶瓷陶瓷基板方案。截至2020年7月底，以HEV为主的丰田电动化车型在全球的累计销量更是突破了1600万辆，其中在中国累计销售超过100万辆，氮化硅陶瓷基板的市场需求规模可见一斑。

在全球市场，氮化硅陶瓷基板的产量从2013的240.29百万平方厘米增加到2017年294.72百万平方厘米，全球氮化硅陶瓷基板市场由日本主导，占全球氮化硅陶瓷基板产量的60.14%。北美是第二大区域市场，全球生产份额为16.28%。目前，主要的氮化硅陶瓷基板制造商集中在东芝材料，罗杰斯公司，京瓷，丸和是世界领先企业，东芝材料全球排名第一。

未来全球市场对氮化硅陶瓷基板的需求量逐年增加，2018年到2024年的复合年增长率为6.45％左右。所以在未来几年，氮化硅陶瓷基板销售将呈现稳步增长的态势。在2024年，氮化硅陶瓷基板的销售额估计为136.6百万美元。在产品价格方面，未来几年价格保持下降，但是下降速度比较平缓。

在价格方面，氮化硅陶瓷基板平均价格从2013年的340美元/千平方厘米下调至2018年的323美元/千平方厘米。

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